n-SiC拉曼散射光谱的温度特性
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2010, Vol. 59 Issue (6): 4261-4266
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
n-SiC拉曼散射光谱的温度特性
杨银堂1, 韩茹2, 樊晓桠2
(1)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071; (2)西北工业大学计算机学院,航空微电子中心,西安 710072
Temperature-dependent Raman property of n-type SiC
Yang Yin-Tang1, Han Ru2, Fan Xiao-Ya2
(1)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071; (2)西北工业大学计算机学院,航空微电子中心,西安 710072

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn