物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (7): 4996.      DOI: 10.7498/aps.59.4996
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 最新目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索 |
In组分渐变提高InGaN/GaN多量子阱发光二极管发光性能
朱丽虹, 蔡加法, 李晓莹, 邓彪, 刘宝林
厦门大学物理系,厦门 361005
Luminous performance improvement of InGaN/GaN light-emitting diodes by modulating In content in well layers
Zhu Li-Hong, Cai Jia-Fa, Li Xiao-Ying, Deng Biao, Liu Bao-Lin
Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China


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