半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5700-5705
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
半绝缘GaAs光电导开关的瞬态热效应
马湘蓉1, 薛红1, 施卫2
(1)西安理工大学应用物理系,西安 710054; (2)西安理工大学应用物理系,西安 710054; 西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室,西安 710049
Transient thermal effect of semi-insulating GaAs photoconductive switch
Ma Xiang-Rong1, Xue Hong1, Shi Wei2
(1)Department of Applied Physics, Xi' an University of Technology, Xi'an 710054, China; (2)Department of Applied Physics, Xi' an University of Technology, Xi'an 710054, China; State key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equipment, Xi'an Jiaotong University, Xi'an 710049, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn