AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5730-5737
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
AlGaN/GaN HEMT器件电流坍塌和膝点电压漂移机理的研究
王林, 胡伟达, 陈效双, 陆卫
中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083
Study on mechanism of current collapse and knee voltage drift for AlGaN/GaN HEMTs
Wang Lin, Hu Wei-Da, Chen Xiao-Shuang, Lu Wei
National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China

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