不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5738-5742
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
不同盖层对InAs/GaAs量子点结构和光学性质的影响
田芃, 黄黎蓉, 费淑萍, 余奕, 潘彬, 徐巍, 黄德修
华中科技大学武汉光电国家实验室,光电子科学与工程学院,武汉 430074
Effect of different cap layers on the structure and optical properties of InAs/GaAs self-assembled quantum dot
Tian Peng, Huang Li-Rong, Fei Shu-Ping, Yu Yi, Pan Bin, Xu Wei, Huang De-Xiu
Wuhan National Laboratory for Optoelectronics,College of Optoelectronic Science and Engineering,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,China

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