基于Si-rich SiN<sub><i>x</i></sub>/N-rich SiN<sub><i>y</i></sub>多层膜结构的量子点构筑及发光特性
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (8): 5823-5827
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
基于Si-rich SiNx/N-rich SiNy多层膜结构的量子点构筑及发光特性
宋捷1, 丁宏林1, 王祥1, 郭艳青1, 黄锐2, 王旦清2, 陈坤基2, 徐骏2, 李伟2, 马忠元2
(1)韩山师范学院物理与电子工程系,潮州 521041; (2)南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京 210093
Fabrication and luminescence properties of Si quantum dots based on Si-rich SiNx/N-rich SiNy multilayer
Song Jie1, Ding Hong-Lin1, Wang Xiang1, Guo Yan-Qing1, Huang Rui2, Wang Dan-Qing2, Chen Kun-Ji2, Xu Jun2, Li Wei2, Ma Zhong-Yuan2
(1)Department of Physics and Electrical Engineering, Hanshan Normal University, Chaozhou 521041, China; (2)State Key Laboratory of Solid State Microstructures and Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China

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