氧化钒晶体的半导体至金属相变的理论研究
物理学报
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (9): 6480-6486
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
氧化钒晶体的半导体至金属相变的理论研究
陈军1, 何捷2, 林理彬2, 宋婷婷3
(1)北京应用物理与计算数学研究所,北京 100088; (2)四川大学物理系,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064; (3)西华师范大学,物理与电子信息学院,南充 637002;四川大学物理系,辐射物理及技术教育部重点实验室,成都 610064;北京应用物理与计算数学研究所,北京 100088
The theoretical study of metal-insulator transition of VO2
Song Ting-Ting1, He Jie2, Lin Li-Bin2, Chen Jun3
(1)Department of Physics and Electronic Information, China West Normal University, Nanchong 637002, China;Department of Physics and Key Laboratory for Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China;Instit; (2)Department of Physics and Key Laboratory for Radiation Physics and Technology of Ministry of Education, Sichuan University, Chengdu 610064, China; (3)Institute of Applied Physics and Computational Mathematics, Beijing 100088, China

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