应变Si电子电导有效质量模型
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2010, Vol. 59 Issue (9): 6545-6548
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
应变Si电子电导有效质量模型
赵丽霞, 张鹤鸣, 胡辉勇, 戴显英, 宣荣喜
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Model of electronical conductivity effective mass of strained Si
Zhao Li-Xia, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong, Dai Xian-Ying, Xuan Rong-Xi
Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn