相变存储材料Ge<sub>1</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>4</sub>和Ge<sub>2</sub>Sb<sub>2</sub>Te<sub>5</sub>薄膜的结构和电学特性研究
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物理学报  2010, Vol. 59 Issue (9): 6563-6568
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
相变存储材料Ge1Sb2Te4和Ge2Sb2Te5薄膜的结构和电学特性研究
廖远宝, 徐岭, 杨菲, 刘文强, 刘东, 徐骏, 马忠元, 陈坤基
南京大学物理学院,南京微结构国家实验室,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京 210093
Study of structural and electrical properties of phase-change materials Ge1Sb2Te4 and Ge2Sb2Te5 thin films
Liao Yuan-Bao, Xu Ling, Yang Fei, Liu Wen-Qiang, Liu Dong, Xu Jun, Ma Zhong-Yuan, Chen Kun-Ji
Nanjing National Laboratory of Microstructures, Jiangsu Provincial Key Laboratory of Photonic and Electronic Materials Sciences and Technology, Department of Physics, Nanjing University, Nanjing 210093, China

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