GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2011, Vol. 60 Issue (1): 016108
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
GaN基发光二极管外延中p型AlGaN电子阻挡层的优化生长
王兵, 李志聪, 姚然, 梁萌, 闫发旺, 王国宏
中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心,北京 100083
Optimized growth of p-type AlGaN electron blocking layer in the GaN-based LED
Wang Bing, Li Zhi-Cong, Yao Ran, Liang Meng, Yan Fa-Wang, Wang Guo-Hong
Lighting R & D Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn