反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (1): 016109
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
反射式高能电子衍射实时监控的分子束外延生长GaAs晶体衬底温度校准及表面相变的研究
杨再荣1, 罗子江1, 贺业全1, 何浩1, 邓朝勇1, 丁召1, 周勋2, 韦俊3
(1)贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025; (2)贵州大学理学院,贵州省微纳电子与软件技术重点实验室,贵阳 550025;贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001; (3)贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳 550001
Study on temperature calibration and surface phase transition of GaAs crystal substrate in MBE growth by RHEED real-time monitoring
Wei Jun1, Yang Zai-Rong2, Luo Zi-Jiang2, He Ye-Quan2, He Hao2, Deng Chao-Yong2, Ding Zhao2, Zhou Xun3
(1)School of Physics and Electronics Science, Guizhou Normal University, Guiyang 550001, China; (2)Science college, Guizhou University, Key laboratory of MicroNano Electronies of Guizhou Province, Guiyang 550025, China; (3)Science college, Guizhou University, Key laboratory of MicroNano Electronies of Guizhou Province, Guiyang 550025, China;School of Physics and Electronics Science, Guizhou Normal University, Guiyang 550001, China

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