应变Si/Si<sub>1-<i>x</i></sub>Ge<sub><i>x</i></sub> n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (1): 017202
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
应变Si/Si1-xGex n型金属氧化物半导体场效应晶体管反型层中的电子迁移率模型
李斌, 刘红侠, 袁博, 李劲, 卢凤铭
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
Model of electron mobility in inversion layer of strained Si/Si1-xGex n type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Li Bin, Liu Hong-Xia, Yuan Bo, Li Jin, Lu Feng-Ming
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

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