搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

金红石相VO2电子结构与光电性质的第一性原理研究

苏锐 何捷 陈家胜 郭英杰

引用本文:
Citation:

金红石相VO2电子结构与光电性质的第一性原理研究

苏锐, 何捷, 陈家胜, 郭英杰

First principles study of the electronic structure and photoelectric properties of rutile vanadium dioxcide

Su Rui, He Jie, Chen Jia-Sheng, Guo Ying-Jie
PDF
导出引用
  • 采用完全势线性缀加平面波方法(FP-LAPW)结合密度泛函+U(DFT+U)模型计算了金红石相VO2的电子结构和光学性质. 电子态密度计算结果表明所采用的方法可以较好的描述体系的导带电子结构. 计算得到体系为导体,VO键主要由O原子的2 p轨道与V原子的3 d轨道杂化形成,外加光场垂直和平行于c轴时体系的等离子振荡频率为3.44 eV和2.74 eV,光电导率在01 eV之间有一个与带内跃迁有关的德鲁德峰,而大于1 eV的光电导率主要由电子带间跃迁产生,得到并分析了带内跃迁过程和带间跃迁过程各自对反射谱和电子能量损失谱的贡献.
    The electronic structure and the photoelectric properties of rutile based VO2 are investigated using the FP-LAPW method which is combined with the DFT+U method. The calculated density of statas (DOS) shows that the DFT+U method can describe the conductive band properly. The V-O bonding in VO2 is induced mainly through the strong hybridization of V3d orbital and O2p orbital. The calculated plasma frequency is 3.44 eV when the applied light field is perpendicular to the c axis and 2.74 eV when the applied light field is along the c axis. The optical conductivity spectrum shows a Drude-like peak is between 0 eV and 1 eV while in upper area the interband contribution is more important. Finally, the reflection spectrum and the election energy loss spectrum (EELS) are calculated and analyzed.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10875083)资助的课题.
    [1]

    Morin F J 1959 Phys. Rev. Lett. 3 34

    [2]

    Chen C H, Yi X J, Xiong B F 2001 Acta Phys. Sin. 50 450 (in Chinese)[陈长虹、易新建、熊笔锋 2001 物理学报 50 450]

    [3]
    [4]
    [5]

    Wang L X, Li J P, He X L, Gao X G 2006 Acta Phys. Sin. 55 2846 (in Chinese)[王利霞、李建平、何秀丽、高晓光 2006 物理学报 55 2846]

    [6]
    [7]

    Ruzmetov D, Senanayake S D, Ramanathan S 2007 Phys. Rev. B 75 195102

    [8]

    Muraoka Y, Saeki K, Yao Y, Wakita T, Hirai M, Yokoya T, Eguchi R, Shin S 2010 J. Electron. Spectrosc 181 249

    [9]
    [10]

    Zylbersztejn A, Mott N F 1975 Phys. Rev. B 11 4383

    [11]
    [12]

    Song T T, He J, Lin L B, Chen J 2010 Acta Phys. Sin. 59 6480 (in Chinese)[宋婷婷、何 捷、林理斌、陈 军 2010 物理学报 59 6480]

    [13]
    [14]
    [15]

    Chen Q Y, Lai X C, Wang X Y, Zhang Y B, Tan S Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 4945 (in Chinese)[陈秋云、赖新春、王小英、张永彬、谭世勇 2010 物理学报 59 4945]

    [16]

    Laad M S, Craco L, Mueller-Hartmann E 2006 Phys. Rev. B 73 195120

    [17]
    [18]

    Tomczak J M, Biermann S 2009 Europhys. Lett. 86 37004

    [19]
    [20]
    [21]
    [22]

    Morinaga M, Cohen J B 1979 Acta Crystallogr. A 35 975

    [23]
    [24]

    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

    [25]

    Norman M R 1995 Phys. Rev. B 52 1421

    [26]
    [27]

    Bultmark F, Cricchio F, Grns O, Nordstrm L 2009 Phys. Rev. B 80 35121

    [28]
    [29]

    Petukhov A G,Mazin I I,Chioncel L,Lichtenstein A I 2003 Phys. Rev. B 67 153106

    [30]
    [31]

    Ambrosch-Draxl C, Sofo J O 2006 Comput. Phys. Commun. 175 1

    [32]
    [33]
    [34]

    Vinet P, Rose J H, Ferrante J, Smith J R 1989 J. Phys.: Condens. Matter. 1 1941

    [35]
    [36]

    Goering E, Schramme M, Muller O, Barth R, Paulin H, Klemm M 1997 Phys. Rev. B 55 4225

    [37]
    [38]

    Cavalleri A, Rini M, Chong H H W, Fourmaux S, Glover T E, Heimann P A, Kieffer J C, Schoenlein R W 2005 Phys. Rev. Lett. 95 067405

    [39]

    Qazilbash M M, Burch K S, Whisler D, Shrekenhamer D, Chae B G, Kim H T, Basov D N 2006 Phys. Rev. B 74 205118.

    [40]
    [41]
    [42]

    Okazaki K, Sugai S, Muraoka Y, Hiroi Z 2006 Phys. Rev. B 73 165116

    [43]

    Barker A S, Verleur H W, Guggenheim H J 1966 Phys. Rev. Lett. 17 1286

    [44]
  • [1]

    Morin F J 1959 Phys. Rev. Lett. 3 34

    [2]

    Chen C H, Yi X J, Xiong B F 2001 Acta Phys. Sin. 50 450 (in Chinese)[陈长虹、易新建、熊笔锋 2001 物理学报 50 450]

    [3]
    [4]
    [5]

    Wang L X, Li J P, He X L, Gao X G 2006 Acta Phys. Sin. 55 2846 (in Chinese)[王利霞、李建平、何秀丽、高晓光 2006 物理学报 55 2846]

    [6]
    [7]

    Ruzmetov D, Senanayake S D, Ramanathan S 2007 Phys. Rev. B 75 195102

    [8]

    Muraoka Y, Saeki K, Yao Y, Wakita T, Hirai M, Yokoya T, Eguchi R, Shin S 2010 J. Electron. Spectrosc 181 249

    [9]
    [10]

    Zylbersztejn A, Mott N F 1975 Phys. Rev. B 11 4383

    [11]
    [12]

    Song T T, He J, Lin L B, Chen J 2010 Acta Phys. Sin. 59 6480 (in Chinese)[宋婷婷、何 捷、林理斌、陈 军 2010 物理学报 59 6480]

    [13]
    [14]
    [15]

    Chen Q Y, Lai X C, Wang X Y, Zhang Y B, Tan S Y 2010 Acta Phys. Sin. 59 4945 (in Chinese)[陈秋云、赖新春、王小英、张永彬、谭世勇 2010 物理学报 59 4945]

    [16]

    Laad M S, Craco L, Mueller-Hartmann E 2006 Phys. Rev. B 73 195120

    [17]
    [18]

    Tomczak J M, Biermann S 2009 Europhys. Lett. 86 37004

    [19]
    [20]
    [21]
    [22]

    Morinaga M, Cohen J B 1979 Acta Crystallogr. A 35 975

    [23]
    [24]

    Perdew J P, Burke K, Ernzerhof M 1996 Phys. Rev. Lett. 77 3865

    [25]

    Norman M R 1995 Phys. Rev. B 52 1421

    [26]
    [27]

    Bultmark F, Cricchio F, Grns O, Nordstrm L 2009 Phys. Rev. B 80 35121

    [28]
    [29]

    Petukhov A G,Mazin I I,Chioncel L,Lichtenstein A I 2003 Phys. Rev. B 67 153106

    [30]
    [31]

    Ambrosch-Draxl C, Sofo J O 2006 Comput. Phys. Commun. 175 1

    [32]
    [33]
    [34]

    Vinet P, Rose J H, Ferrante J, Smith J R 1989 J. Phys.: Condens. Matter. 1 1941

    [35]
    [36]

    Goering E, Schramme M, Muller O, Barth R, Paulin H, Klemm M 1997 Phys. Rev. B 55 4225

    [37]
    [38]

    Cavalleri A, Rini M, Chong H H W, Fourmaux S, Glover T E, Heimann P A, Kieffer J C, Schoenlein R W 2005 Phys. Rev. Lett. 95 067405

    [39]

    Qazilbash M M, Burch K S, Whisler D, Shrekenhamer D, Chae B G, Kim H T, Basov D N 2006 Phys. Rev. B 74 205118.

    [40]
    [41]
    [42]

    Okazaki K, Sugai S, Muraoka Y, Hiroi Z 2006 Phys. Rev. B 73 165116

    [43]

    Barker A S, Verleur H W, Guggenheim H J 1966 Phys. Rev. Lett. 17 1286

    [44]
  • [1] 张英楠, 张敏, 张派, 胡文博. 基于第一性原理GGA+U方法研究Si掺杂β-Ga2O3电子结构和光电性质. 物理学报, 2024, 73(1): 017102. doi: 10.7498/aps.73.20231147
    [2] 宋蕊, 王必利, 冯凯, 姚佳, 李霞. 应力调控对单层TiOCl2电子结构及光学性质的影响. 物理学报, 2022, 71(7): 077101. doi: 10.7498/aps.71.20212023
    [3] 卢辉东, 韩红静, 刘杰. FA1–xCsx PbI3–y Bry钙钛矿材料优化及太阳电池性能计算. 物理学报, 2021, 70(3): 036301. doi: 10.7498/aps.70.20201387
    [4] 卢辉东, 韩红静, 刘杰. 有机铅碘钙钛矿太阳电池结构优化及光电性能计算. 物理学报, 2021, 70(16): 168802. doi: 10.7498/aps.70.20210134
    [5] 王雅琴, 姚刚, 黄子健, 黄鹰. 用于红外激光防护的高开关率VO2薄膜. 物理学报, 2016, 65(5): 057102. doi: 10.7498/aps.65.057102
    [6] 程超群, 李刚, 张文栋, 李朋伟, 胡杰, 桑胜波, 邓霄. B, P掺杂β-Si3N4的电子结构和光学性质研究. 物理学报, 2015, 64(6): 067102. doi: 10.7498/aps.64.067102
    [7] 朱慧群, 李毅, 叶伟杰, 李春波. 花状掺杂W-VO2/ZnO热致变色纳米复合薄膜研究. 物理学报, 2014, 63(23): 238101. doi: 10.7498/aps.63.238101
    [8] 袁文瑞, 李毅, 王晓华, 郑鸿柱, 陈少娟, 陈建坤, 孙瑶, 唐佳茵, 刘飞, 郝如龙, 方宝英, 肖寒. VO2/AZO复合薄膜的制备及其光电特性研究. 物理学报, 2014, 63(21): 218101. doi: 10.7498/aps.63.218101
    [9] 佟国香, 李毅, 王锋, 黄毅泽, 方宝英, 王晓华, 朱慧群, 梁倩, 严梦, 覃源, 丁杰, 陈少娟, 陈建坤, 郑鸿柱, 袁文瑞. 磁控溅射制备W掺杂VO2/FTO复合薄膜及其性能分析. 物理学报, 2013, 62(20): 208102. doi: 10.7498/aps.62.208102
    [10] 余志强. 硅基外延OsSi2电子结构及光电特性研究. 物理学报, 2012, 61(21): 217102. doi: 10.7498/aps.61.217102
    [11] 蒋雷, 王培吉, 张昌文, 冯现徉, 逯瑶, 张国莲. 超晶格SnO2掺Cr的电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2011, 60(9): 093101. doi: 10.7498/aps.60.093101
    [12] 高潭华, 吴顺情, 胡春华, 朱梓忠. 二维BC2 N薄片的结构稳定性和电子性质. 物理学报, 2011, 60(12): 127305. doi: 10.7498/aps.60.127305
    [13] 余本海, 刘墨林, 陈东. 第一性原理研究Mg2 Si同质异相体的结构、电子结构和弹性性质. 物理学报, 2011, 60(8): 087105. doi: 10.7498/aps.60.087105
    [14] 朱慧群, 李毅, 周晟, 黄毅泽, 佟国香, 孙若曦, 张宇明, 郑秋心, 李榴, 沈雨剪, 方宝英. 纳米VO2/ZnO复合薄膜的热致变色特性研究. 物理学报, 2011, 60(9): 098104. doi: 10.7498/aps.60.098104
    [15] 陈秋云, 赖新春, 王小英, 张永彬, 谭世勇. UO2的电子结构及光学性质的第一性原理研究. 物理学报, 2010, 59(7): 4945-4949. doi: 10.7498/aps.59.4945
    [16] 崔冬萌, 谢泉, 陈茜, 赵凤娟, 李旭珍. Si基外延Ru2Si3电子结构及光学性质研究. 物理学报, 2010, 59(3): 2027-2032. doi: 10.7498/aps.59.2027
    [17] 宋婷婷, 何捷, 林理彬, 陈军. 氧化钒晶体的半导体至金属相变的理论研究. 物理学报, 2010, 59(9): 6480-6486. doi: 10.7498/aps.59.6480
    [18] 李旭珍, 谢泉, 陈茜, 赵凤娟, 崔冬萌. OsSi2电子结构和光学性质的研究. 物理学报, 2010, 59(3): 2016-2021. doi: 10.7498/aps.59.2016
    [19] 唐春梅, 袁勇波, 邓开明, 杨金龙. C72,La2@C72几何结构和电子性质的计算研究. 物理学报, 2006, 55(7): 3601-3605. doi: 10.7498/aps.55.3601
    [20] 杨 帅, 李养贤, 马巧云, 徐学文, 牛萍娟, 李永章, 牛胜利, 李洪涛. FTIR研究快中子辐照直拉硅中的VO2. 物理学报, 2005, 54(5): 2256-2260. doi: 10.7498/aps.54.2256
计量
  • 文章访问数:  7795
  • PDF下载量:  751
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2010-11-13
  • 修回日期:  2011-01-12
  • 刊出日期:  2011-05-05

/

返回文章
返回