高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究
物理学报
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (11): 117305     doi:10.7498/aps.60.117305
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高电子迁移率晶格匹配InAlN/GaN材料研究
张金风, 王平亚, 薛军帅, 周勇波, 张进成, 郝跃
宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
High electron mobility lattice-matched InAlN/GaN materials
Zhang Jin-Feng, Wang Ping-Ya, Xue Jun-Shuai, Zhou Yong-Bo, Zhang Jin-Cheng, Hao Yue
Key Laboratory of Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

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