薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2011, Vol. 60 Issue (11): 118501     doi:10.7498/aps.60.118501
物理学交叉学科及有关科学技术领域 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
薄膜SOI上SiGe HBT集电结耗尽电荷和电容改进模型
徐小波, 张鹤鸣, 胡辉勇
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Improved base-collector depletion charge and capacitance model for SiGe HBT on thin-film SOI
Xu Xiao-Bo, Zhang He-Ming, Hu Hui-Yong
Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn