小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (2): 027305
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
小尺寸应变Si金属氧化物半导体场效应晶体管栅隧穿电流预测模型
张鹤鸣1, 王冠宇1, 胡辉勇1, 吴铁峰2
(1)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071;佳木斯大学信息电子技术学院,佳木斯 154007
Gate tunneling current predicting model of strained Si for scaled metal-oxide semiconductor field effect transistor
Zhang He-Ming1, Wang Guan-Yu1, Hu Hui-Yong1, Wu Tie-Feng2
(1)Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Micro-Electronics, Xidian University, Xi’an 710071, China; (2)Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Micro-Electronics, Xidian University, Xi’an 710071, China;School of Information and Electronic Technology, Jiamusi University, Jiamusi 154007, China

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