静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (3): 036106
凝聚物质:结构、力学和热学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
静态存储器型现场可编程门阵列总剂量辐射损伤效应研究
余学峰1, 任迪远1, 李豫东1, 高博2, 崔江维2, 李茂顺2, 李明2, 王义元2
(1)中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011; (2)中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;中国科学院研究生院,北京 100049
Research on the total-dose irradiation damage effect for static random access memory-based field programmable gate array
Yu Xue-Feng1, Ren Di-Yuan1, Li Yu-Dong1, Gao Bo2, Cui Jiang-Wei2, Li Mao-Shun2, Li Ming2, Wang Yi-Yuan2
(1)Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China; (2)Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry, Chinese Academy of Sciences, Urumqi 830011, China;Graduate School of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China

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