AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2011, Vol. 60 Issue (8): 087206     doi:10.7498/aps.60.087206
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
AlGaInP大功率发光二极管发光效率与结温的关系
陈依新, 沈光地, 高志远, 郭伟玲, 张光沉, 韩军, 朱彦旭
北京工业大学北京市光电子技术实验室,北京 100124
Relationship between light efficiency and juction temperature of high power AlGaInP light-emitting diode
Chen Yi-Xin, Shen Guang-Di, Gao Zhi-Yuan, Guo Wei-Ling, Zhang Guang-Chen, Han Jun, Zhu Yan-Xu
Beijing Optoelectronic Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn