溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究
物理学报
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (8): 088102     doi:10.7498/aps.60.088102
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溅射沉积自诱导混晶界面与Ge量子点的生长研究
熊飞1,2, 潘红星1, 张辉2, 杨宇1
1. 云南大学工程技术研究院,昆明 650091;
2. 昆明理工大学光电子新材料研究所,昆明 650093
Growth of Ge quantum dot at the mix-crystal interface self-induced on the ion beam sputtering deposition
Xiong Fei1,2, Pan Hong-Xing1, Zhang Hui2, Yang Yu1
1. Research Institute of Engineering and Technology, Yunnan University, Kunming 650091, China;
2. Institute of Advanced Materials for Photo-electronics, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China

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