氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (9): 098107
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氮化镓基发光二极管结构中粗化 p型氮化镓层的新型生长方法
汪莱1, 韩彦军1, 罗毅1, 邓和清2, 丘建生2, 张洁2, 李水清3
(1)清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室/清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京 100084; (2)厦门市三安光电科技有限公司,厦门 361009; (3)厦门市三安光电科技有限公司,厦门 361009;清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室/清华信息科学与技术国家实验室(筹),北京 100084
A new growth method of roughed p-GaN in GaN-based light emitting diodes
Wang Lai1, Han Yan-Jun1, Luo Yi1, Deng He-Qing2, Qiu Jian-Sheng2, Zhang Jie2, Li Shui-Qing3
(1)Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology/State Key Lab on Integrated Optoelectronics, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China; (2)Xiamen Sanan Optoelectronics Co. Ltd., Xiamen 361009, China; (3)Xiamen Sanan Optoelectronics Co. Ltd., Xiamen 361009, China;Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology/State Key Lab on Integrated Optoelectronics, Department of Electronic Engineering, Tsinghua University, Beijing 100084, China

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