小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究
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物理学报  2011, Vol. 60 Issue (9): 098501
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小尺寸应变Si nMOSFET物理模型的研究
屈江涛, 张鹤鸣, 秦珊珊, 徐小波, 王晓艳, 胡辉勇
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件重点实验室,西安 710071
Study of physically modeling for small-scaled strained Si nMOSFET
Qu Jiang-Tao, Zhang He-Ming, Qin Shan-Shan, Xu Xiao-Bo, Wang Xiao-Yan, Hu Hui-Yong
Key Lab of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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