用MOS方法研究四元混晶In<sub>0.75</sub>Ga<sub>0.25</sub>As<sub>0.58</sub>P<sub>0.42</sub>中的深能级中心
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  1983, Vol. 32 Issue (9): 1220-1226
研究简报 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心
王启明1, 彭怀德1, 朱龙德1, 高季林1, 鲍庆成2
(1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院半导体研究所,研究生中国科学院长春物理研究所
USING MOS STRUCTURE TO STUDY THE DEEP LEVEL OF QUARTERNARY MIXED CRYSTAL In0.75Ga0.25As0.58P0.42
WANG QI-MING1, PENG HUAI-DE1, ZHU LONG-DE1, GAO JI-LIN1, BAO QING-CHENG2
(1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院半导体研究所,研究生中国科学院长春物理研究所

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn