InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应
物理学报
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物理学报  1989, Vol. 38 Issue (1): 83-90
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InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应
吴春武1, 殷士端1, 张敬平1, 肖光明1, 刘家瑞2, 朱沛然2
(1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院物理研究所
ANOMALOUS ION CHANNELING EFFECTS IN InGaAs/GaAs STRAINED HETEROJUNCTIONS
WU CHUN-WU1, YIN SHI-DUAN1, ZHANG JING-PING1, XIAO GUANG-MING1, LIU JIA-RUI2, ZHU PEI-RAN2
(1)中国科学院半导体研究所; (2)中国科学院物理研究所

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