Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察
物理学报
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物理学报  1990, Vol. 39 Issue (2): 237-244
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Si衬底上分子束外延Ge,Si时的反射式高能电子衍射强度振荡观察
陈可明, 金高龙, 盛篪, 周国良, 蒋维栋, 张翔九, 俞鸣人
复旦大学表面物理实验室,上海,200433
RHEED INTENSITY OSCILLATIONS IN THE PROCESS OF MOLECULAR BEAM EPITAXY GROWTH OF Ge AND Si ON Si SUBSTRATES
CHEN KE-MING, JIN GAO-LONG, SHENG CHI, ZHOU GAO-LIANG, JIANO WEI-DONG, ZHANG XIANG-JIU, YU MING-REN
复旦大学表面物理实验室,上海,200433

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