分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究
物理学报
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物理学报  1991, Vol. 40 Issue (11): 1827-1832
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
分子束外延生长GaAs/Si异质结电学特性的研究
周洁1, 卢励吾1, 韩志勇1, 梁基本2
(1)半导体超晶格国家实验室中国科学院半导体研究所,北京,100083; (2)中国科学院半导体研究所,北京,100083
A STUDY OF ELECTRONIC CHARACTERIZATION IN MOLECULAR BEAM EPITAXIALLY GROWN GaAs ON Si
ZHOU JIE1, LU LI-WU1, HAN ZHI-YONG1, LIANG JI-BEN2
(1)半导体超晶格国家实验室中国科学院半导体研究所,北京,100083; (2)中国科学院半导体研究所,北京,100083

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