磷化铟中离子注入硅的双性行为研究
物理学报
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物理学报  1991, Vol. 40 Issue (3): 476-482
凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质 当期目录| 下期目录| 过刊浏览| 高级检索     
磷化铟中离子注入硅的双性行为研究
沈鸿烈, 杨根庆, 周祖尧, 邹世昌
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,上海,200050
INVESTIGATION OF AMPHOTERIC BEHAVIOR OF SILICON IMPLANTED INTO InP
SHEN HONG-LIE, YANG GEN-QING, ZHOU ZU-YAO, ZOU SHI-CHANG
中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室,上海,200050

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