3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (5): 057202     doi:10.7498/aps.61.057202
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3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响
吕玲, 张进成, 李亮, 马晓华, 曹艳荣, 郝跃
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
Effects of 3 MeV proton irradiations on AlGaN/GaN high electron mobility transistors
Lü Ling, Zhang Jin-Cheng, Li Liang, Ma Xiao-Hua, Cao Yan-Rong, Hao Yue
School of Microelectronics, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xidian University, Xi'an 710071, China

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