极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (5): 057802     doi:10.7498/aps.61.057802
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极化效应对AlGaN/GaN异质结p-i-n光探测器的影响
刘红侠, 高博, 卓青青, 王勇淮
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点 实验室, 西安 710071
Influence of polarization effects on photoelectric response of AlGaN/GaN heterojunction p-i-n photodetectors
Liu Hong-Xia, Gao Bo, Zhuo Qing-Qing, Wang Yong-Huai
Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices of the Ministry of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China

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