AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (4): 047301     doi:10.7498/aps.61.047301
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AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中kink效应的半经验模型
马骥刚1 2, 马晓华1 2, 张会龙1 2, 曹梦逸2, 张凯2, 李文雯2, 郭星2, 廖雪阳2, 陈伟伟1 2, 郝跃2
1. 西安电子科技大学技术物理学院, 西安 710071;
2. 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安电子科技大学微电子学院, 西安 710071
A semiempirical model for kink effect on the AlGaN/GaN high electron mobility transistor
Ma Ji-Gang1 2, Ma Xiao-Hua1 2, Zhang Hui-Long1 2, Cao Meng-Yi2, Zhang Kai2, Li Wen-Wen2, Guo Xing2, Liao Xue-Yang2, Chen Wei-Wei1 2, Hao Yue2
1. School of Technical Physics, Xidian University, Xi’an 710071, China;
2. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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