新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (4): 047303     doi:10.7498/aps.61.047303
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新型高速半导体器件IMOS阈值电压解析模型
李妤晨, 张鹤鸣, 张玉明, 胡辉勇, 徐小波, 秦珊珊, 王冠宇
西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
A analytic model for the threshold-voltage of novel high-speed semiconductor device IMOS
Li Yu-Chen, Zhang He-Ming, Zhang Yu-Ming, Hu Hui-Yong, Xu Xiao-Bo, Qin Shan-Shan, Wang Guan-Yu
Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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