基于辐照前1/<em>f</em>噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (6): 067801     doi:10.7498/aps.61.067801
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基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管潜在缺陷退化模型
孙鹏,杜磊,陈文豪,何亮
西安电子科技大学技术物理学院, 西安 710071
A latent defect degradation model of metal-oxide-semiconductor field effect transistor based on pre-irradiation 1/f noise
Sun Peng,Du Lei,Chen Wen-Hao,He Liang
School of Technical Physics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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