中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (7): 076101     doi:10.7498/aps.61.076101
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中带电压法分离栅控横向pnp双极晶体管辐照感生缺
席善斌1 2 3,陆妩1 2,王志宽4,任迪远1 2,周东1 2 3,文林1 2,孙静1 2
1. 中国科学院新疆理化技术研究所, 乌鲁木齐 830011;
2. 新疆电子信息材料与器件重点实验室, 乌鲁木齐 830011;
3. 中国科学院研究生院, 北京 100049;
4. 模拟集成电路国家重点实验室, 重庆 400060
Use the subthreshold-current technique to separate radiation induced defects in gate controlled lateral pnp bipolar transistors
Xi Shan-Bin1 2 3,Lu Wu1 2,Wang Zhi-Kuan4,Ren Di-Yuan1 2,Zhou Dong1 2 3,Wen Lin1 2,Sun Jing1 2
1. Xinjiang Technical Institute of Physics & Chemistry CAS, Urumqi 830011, China;
2. Xinjiang Key Laboratory of Electronic Information Materials and Devices, Urumqi 830011, China;
3. Graduate University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China;
4. State key Laboratory of Analog Integrated Circuit, Chongqing 400060, China

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