硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (7): 078104     doi:10.7498/aps.61.078104
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硅基低位错密度厚锗外延层的UHV/CVD法生长
陈城钊1 2,郑元宇1,黄诗浩1,李成1,赖虹凯1,陈松岩1
1. 厦门大学物理系, 半导体光子学研究中心, 厦门 361005;
2. 韩山师范学院物理与电子工程系, 潮州 521041
Epitaxial growth of thick Ge layers with low dislocation density on silicon substrate by UHV/CVD
Chen Cheng-Zhao1 2,Zheng Yuan-Yu1,Huang Shi-Hao1,Li Cheng1,Lai Hong-Kai1,Chen Song-Yan1
1. Department of Physics, Semiconductor Photonics Research Center, Xiamen University, Xiamen 361005, China;
2. Department of Physics and Electronic Engineering, Hanshan Normal University, Chaozhou 521041, China