非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (7): 078504     doi:10.7498/aps.61.078504
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非对称HALO掺杂栅交叠轻掺杂漏围栅MOSFET的解析模型
李聪1,庄奕琪1,韩茹2,张丽1,包军林1
1. 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071;
2. 西北工业大学航空微电子中心, 西安 710072
Analytical modeling of asymmetric HALO-doped surrounding-gate MOSFET with gate overlapped lightly-doped drain
Li Cong1,Zhuang Yi-Qi1,Han Ru2,Zhang Li1,Bao Jun-Lin1
1. Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi'an 710071, China;
2. Aviation Microelectronics Center, Northwestern Polytechnic University., Xi'an 710072, China

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