ITO退火对GaN基LED电学特性的影响
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (13): 137303     doi:10.7498/aps.61.137303
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ITO退火对GaN基LED电学特性的影响
刘建朋, 朱彦旭, 郭伟玲, 闫微微, 吴国庆
北京工业大学,北京光电子技术实验室,北京 100124
The effect of ITO annealing on electrical characteristic of GaN based LED
Liu Jian-Peng, Zhu Yan-Xu, Guo Wei-Ling, Yan Wei-Wei, Wu Guo-Qing
Beijing Optoelectronic Technology Laboratory, Beijing University of Technology, Beijing 100124, China

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