GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2012, Vol. 61 Issue (13): 138502     doi:10.7498/aps.61.138502
物理学交叉学科及有关科学技术领域 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
GaN基高压直流发光二极管制备及其性能分析
曹东兴1 2, 郭志友1, 梁伏波2, 杨小东2, 黄鸿勇1
1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所, 广东省微纳光子功能材料与器件重点实验室, 广州 510631;
2. 鹤山丽得电子实业有限公司, 江门 529728
The preparation and performance analysis of GaN-based high-voltage DC light emitting diode
Cao Dong-Xing1 2, Guo Zhi-You1, Liang Fu-Bo2, Yang Xiao-Dong2, Huang Hong-Yong1
1. Laboratory of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Institute of Optoelectronic Material and Technology, South China Normal University, Guangzhou 510631, China;
2. Yinyu Semiconductor Photonics Ltd., Jiangmen 529728, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn