纤锌矿AlGaN/AlN/GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (8): 087201     doi:10.7498/aps.61.087201
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纤锌矿AlGaN/AlN/GaN异质结构中光学声子散射影响的电子迁移率
杨福军,班士良
内蒙古大学物理科学与技术学院, 呼和浩特 010021
Influence of optical-phonon scattering on electron mobility in wurtzite AlGaN/AlN/GaN heterostructures
Yang Fu-Jun,Ban Shi-Liang
School of Physical Science and Technology, Inner Mongolia University, Hohhot 010021, China

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