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套刻偏差对4H-SiC 浮动结结势垒肖特基二极管的影响研究

汤晓燕 戴小伟 张玉明 张义门

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套刻偏差对4H-SiC 浮动结结势垒肖特基二极管的影响研究

汤晓燕, 戴小伟, 张玉明, 张义门

Study of the effect of lithography deviation on 4H-SiC floating junction junction barrier Schottky diode

Tang Xiao-Yan, Dai Xiao-Wei, Zhang Yu-Ming, Zhang Yi-Men
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-07-30
  • 修回日期:  2012-04-28
  • 刊出日期:  2012-04-20

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