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带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

刘必慰 陈建军 陈书明 池雅庆

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带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

刘必慰, 陈建军, 陈书明, 池雅庆

NPN bipolar effect and its influence on charge sharing in a tripe well CMOS technology with n+ deep well

Liu Bi-Wei, Chen Jian-Jun, Chen Shu-Ming, Chi Ya-Qin
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-06-29
  • 修回日期:  2012-05-10
  • 刊出日期:  2012-05-05

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