第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (11): 117301
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第一原理研究界面弛豫对InAs/GaSb超晶格界面结构、能带结构和光学性质的影响
孙伟峰1, 郑晓霞2
1. 哈尔滨理工大学电气与电子工程学院, 工程电介质及其应用教育部重点实验室, 黑龙江省电介质工程重点实验室, 哈尔滨 150080;
2. 黑龙江工程学院计算机科学与技术系, 哈尔滨 150050
First-principles study of interface relaxation effects on interface structure, band structure and optical property of InAs/GaSb superlattices
Sun Wei-Feng1, Zheng Xiao-Xia2
1. Key Laboratory of Engineering Dielectrics and Its Application, Ministry of Education, Heilongjiang Provincial Key Laboratory of Dielectric Engineering, School of Electrical and Electronic Engineering, Harbin University of Science and Technology, Harbin 150080, China;
2. Department of Computer Science and Technology, Heilongjiang Institute of Technology, Harbin 150050, China

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