半Heusler型拓扑绝缘体LaPtBi能带调控的研究
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (12): 123101     doi:10.7498/aps.61.123101
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半Heusler型拓扑绝缘体LaPtBi能带调控的研究
张小明1 2, 刘国栋1, 杜音2, 刘恩克2, 王文洪2, 吴光恒2, 柳忠元3
1. 河北工业大学材料学院, 天津 300130;
2. 中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室, 北京 100190;
3. 燕山大学材料学院, 秦皇岛 066004
Investigation on regulating the topological electronic structure of the half-Heusler compound LaPtBi
Zhang Xiao-Ming1 2, Liu Guo-Dong1, Du Yin2, Liu En-Ke2, Wang Wen-Hong2, Wu Guang-Heng2, Liu Zhong-Yuan3
1. School of Material Sciences and Engineering, Hebei University Technology, Tianjin 300130, China;
2. State Key Laboratory of Magnetism, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China;
3. State Key Laboratory of Metastable Material Sciences, Yansan University Technology, Qinhuangdao 066004, China

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