高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效<em>g</em>因子
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (12): 127102     doi:10.7498/aps.61.127102
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高迁移率InGaAs/InP量子阱中的有效g因子
魏来明1, 周远明2, 俞国林1, 高矿红1 3, 刘新智1, 林铁1, 郭少令1, 戴宁1, 褚君浩1 3, Austing David Guy4
1. 中国科学院上海技术物理研究所, 红外物理国家重点实验室, 上海 200083;
2. 湖北工业大学电气与电子工程学院, 武汉 430068;
3. 华东师范大学信息科学技术学院, 极化材料与器件教育部重点实验室, 上海 200241;
4. 加拿大国家研究院微结构研究所, 渥太华 K1A 0R6
Effective g-factor in high-mobility InGaAs/InP Quantum well
Wei Lai-Ming1, Zhou Yuan-Ming2, Yu Guo-Lin1, Gao Kuang-Hong1 3, Liu Xin-Zhi1, Lin Tie1, Guo Shao-Ling1, Dai Ning1, Chu Jun-Hao1 3, Austing David Guy4
1. National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Science, Shanghai 200083, China;
2. School of Electrical and Electronic Engineering, Hubei University of Technology, Wuhan 430068, China;
3. Key Laboratory of Polar Materials and Devices of Ministry of Education, School of Science and Technology of Information, East China Normal University, Shanghai 200062, China;
4. Institute of Microstructural Science M50, National Research Council of Canada, Montreal Road, Ottawa, Ontario K1A 0R6, Canada

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