InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InP DHBT性能比较分析
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2012, Vol. 61 Issue (12): 128501     doi:10.7498/aps.61.128501
物理学交叉学科及有关科学技术领域 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
InAlAs/GaSbAs/InP DHBT与InP/GaSbAs/InP DHBT性能比较分析
周守利1, 杨万春2 3, 任宏亮1 2, 李伽1
1. 浙江工业大学信息工程学院, 杭州 310032;
2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室, 上海 200050;
3. 湘潭大学信息工程学院, 湘潭 411105
Comparison of the performance for InAlAs/GaSbAs/InP DHBT and InP/GaSbAs/InP DHBT
Zhou Shou-Li1, Yang Wan-Chun2 3, Ren Hong-Liang1 2, Li Jia1
1. College of Information Engineering, Zhejiang University of Technology, Hangzhou 310023, China;
2. State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China;
3. College of Information Engineering, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn