退火温度对N<sup>+</sup>注入ZnO:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (16): 168101     doi:10.7498/aps.61.168101
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退火温度对N+注入ZnO:Mn薄膜结构及室温铁磁性的影响
杨天勇1, 孔春阳1, 阮海波2, 秦国平1 2, 李万俊1, 梁薇薇1, 孟祥丹1, 赵永红1, 方亮2, 崔玉亭1
1. 重庆市光电功能材料重点实验室, 重庆 400047;
2. 重庆大学物理学院, 重庆 400030
Effects of the annealing temperature on microstructure and room-temperature ferromagnetism of N+ ion-implanted ZnO: Mn thin film
Yang Tian-Yong1, Kong Chun-Yang1, Ruan Hai-Bo2, Qin Guo-Ping1 2, Li Wan-Jun1, Liang Wei-Wei1, Meng Xiang-Dan1, Zhao Yong-Hong1, Fang Liang2, Cui Yu-Ting1
1. Key Laboratory of Optoelectronic Functional Materials of Chongqing, Chongqing 400047, China;
2. College of Physics, Chongqing University, Chongqing 400030, China

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