偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (22): 220702     doi:10.7498/aps.61.220702
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偏置条件对SOI NMOS器件总剂量辐照效应的影响
卓青青, 刘红侠, 杨兆年, 蔡惠民, 郝跃
西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室, 西安 710071
The total dose irradiation effects of SOI NMOS devices under different bias conditions
Zhuo Qing-Qing, Liu Hong-Xia, Yang Zhao-Nian, Cai Hui-Min, Hao Yue
Key Laboratory for Wide Band Gap Semiconductor Materials and Devices of Education, School of Microelectronics, Xidian University, Xi’an 710071, China

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