用于电压基准的Nb/Nb<sub><em>x</em></sub>Si<sub>1-<em>x</em></sub>/Nb约瑟夫森单结的研制
物理学报
引用检索 快速检索
物理学报  2012, Vol. 61 Issue (17): 170304     doi:10.7498/aps.61.170304
总论 当期目录| 过刊浏览| 高级检索     
用于电压基准的Nb/NbxSi1-x/Nb约瑟夫森单结的研制
曹文会1, 李劲劲1, 钟青1, 郭小玮2, 贺青1, 迟宗涛2
1. 中国计量科学研究院, 电磁研究所, 北京 100013;
2. 青岛大学, 自动化工程学院, 青岛 266003
Fabrication and characterization of single Nb/NbxSi1-x/Nb Josephson junction for voltage standard
Cao Wen-Hui1, Li Jin-Jin1, Zhong Qing1, Guo Xiao-Wei2, He Qing1, Chi Zong-Tao2
1. National Institute of Metrology, Beijing 100013, China;
2. Qingdao University, Qingdao 266003, China

版权所有 ©  物理学报
地址:北京市603信箱,《物理学报》编辑部 邮编:100190
电话:010-82649294,82649829,82649863   E-mail:apsoffice@iphy.ac.cn
网络系统维护电话:010-62662699-1; 技术支持邮箱 linjl@magtech.com.cn