原子轰击调制离子束溅射沉积Ge量子点的生长演变
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (21): 218101     doi:10.7498/aps.61.218101
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原子轰击调制离子束溅射沉积Ge量子点的生长演变
熊飞1, 杨杰1, 张辉2, 陈刚1, 杨培志3
1. 云南大学工程技术研究院, 昆明 650091;
2. 昆明理工大学光电子新材料研究所, 昆明 650093;
3. 云南师范大学可再生能源材料先进技术与制备教育部重点实验室, 昆明 650092
Growth evolution of Ge quantum dot modulated by the atom bombardment during ion beam sputtering deposition
Xiong Fei1, Yang Jie1, Zhang Hui2, Chen Gang1, Yang Pei-Zhi3
1. Research Institute of Engineering and Technology, Yunnan University, Kunming 650091, China;
2. Institute of Advanced Materials for Photo-Electronics, Kunming University of Science and Technology, Kunming 650093, China;
3. Key Laboratory of Education Ministry for Advance Technique and Preparation of Renewable Energy Materials, Yunnan Normal University, Kunming 650092, China

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