高迁移率In<sub>0.6</sub>Ga<sub>0.4</sub>As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (21): 217304     doi:10.7498/aps.61.217304
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高迁移率In0.6Ga0.4As沟道MOSHEMT与MOSFET器件特性的研究
常虎东1, 孙兵1, 卢力1, 赵威1, 王盛凯1, 王文新2, 刘洪刚1
1. 中国科学院微电子研究所, 微波器件与集成电路研究室, 北京 100029;
2. 中国科学院物理研究所, 北京 100190
Study on high mobility In0.6Ga0.4As channel MOSHEMT and MOSFET
Chang Hu-Dong1, Sun Bing1, Lu Li1, Zhao Wei1, Wang Sheng-Kai1, Wang Wen-Xin2, Liu Hong-Gang1
1. Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics, Chines Academy of Sciences, Beijing 100029, China;
2. Institute of Physics, Chines Academy of Science, Beijing 100190, China

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