pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (21): 217305     doi:10.7498/aps.61.217305
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pMOS器件直流应力负偏置温度不稳定性效应随器件基本参数变化的分析
曹建民, 贺威, 黄思文, 张旭琳
深圳大学电子科学与技术学院, 深圳 518060
Dependence of the DC stress negative bias temperature instability effect on basic device parameters in pMOSFET
Cao Jian-Min, He Wei, Huang Si-Wen, Zhang Xu-Lin
College of Electronic Science and Technology, Shenzhen University, Shenzhen 518060, China.

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