基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究
物理学报
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物理学报  2012, Vol. 61 Issue (1): 016106     doi:10.7498/aps.61.016106
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基于环形栅和半环形栅N沟道金属氧化物半导体晶体管的总剂量辐射效应研究
范雪, 李威, 李平, 张斌, 谢小东, 王刚, 胡滨, 翟亚红
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
Total ionizing dose effects on n-channel metal oxide semiconductor transistors with annular-gate and ring-gate layouts
Fan Xue, Li Wei, Li Ping, Zhang Bin, Xie Xiao-Dong, Wang Gang, Hu Bin, Zhai Ya-Hong
State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu 610054, China

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